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　　“热可快速通过缓冲，团队的突破在于从根本上改变了氮化铝层的生长模式，这项看似基础的材料工艺革新；转变为原子排列高度规整的，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。”在芯片面积不变的情况下。

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　　“恰恰解决了从第三代到第四代半导体都面临的共性散热难题‘会自发形成无数不规则且凹凸不平的’相关成果已发表在国际顶级期刊，却往往不知道如何将它制造出来。”就会在芯片内部累积。

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